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传感器与测试技术(20秋)(客观)形考作业7

阅读:18 更新时间:2021-04-21 02:15:35

传感器与测试技术(20秋)(客观)形考作业7


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1.固体半导体摄像元件CCD是一种(    )


A.PN结光电二极管电路


B.PNP型晶体管集成电路


C.MOS型晶体管开关集成电路


D.NPN型晶体管集成电路


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2.变间隙式电容传感器的非线性误差与极板间初始距离d0之间是(   )。


A.正比关系


B.反比关系


C.无关系


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3.光电耦合器件由发光元件和光电接收元件组成,(       )。


A.可实现电路隔离,不可进行电平转换


B.不可实现电路隔离,可进行电平转换


C.可实现电路隔离,可进行电平转换


D.不可实现电路隔离,不可进行电平转换


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4.在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于(       )


A.外光电效应


B.光生伏打效应


C.光电子发射效应


D.光电导效应


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1.利用光敏电阻制作的光传感器,记录了传送带上工件的输送情况,如图甲所示为某工厂成品包装车间的光传感记录器,光传感器B能接收到发光元件A发出的光,每当工件挡住A发出的光时,光传感器输出一个电信号,并在屏幕上显示出电信号与时间的关系,如图乙所示,若传送带始终匀速运动,每两个工件间的距离为0.2 m,则下述说法正确的是(   )
图片34.png
A.传送带运动的速度是0.1 m/s


B.传送带运动的速度是0.2 m/s


C.该传送带每小时输送3600个工件


D.该传送带每小时输送7200个工件


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2.霍尔效应中,霍尔电势与(     )


A.霍尔常数成正比


B.霍尔常数成反比


C.霍尔元件的厚度成正比


D.霍尔元件的厚度成反比


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1.传感器静态特性的一个重要指标。传感器输出量增量Δy与引起输出量增量Δy的相应输入量增量Δx之比称为传感器的##,是传感器静态特性的一个重要指标。


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