西交《模拟电子技术》在线作业-00001
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1.为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( )
A.共射放大电路
B.共集放大电路
C.共基放大电路
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2.已知输入信号的频率为10kHz~12kHz,为了防止干扰信号的混入,应选用( )。
A.带阻滤波电路
B.带通滤波电路
C.低通滤波电路
D.有源滤波电路
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3.温度升高,晶体管的管压降|UBE|( )
A.升高
B.降低
C.不变
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4.三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是( )
A.发射结和集电结同时正偏
B.发射结和集电结同时反偏
C.集电结正偏,发射结反偏
D.集电结反偏,发射结正偏
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5.共射放大电路输出波形下半周失真时为( )失真,此时应该( )偏置电阻。( )
A.饱和,减小
B.截止,减小
C.饱和,增大
D.截止,增大
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6.由硅稳压二极管构成的稳压电路,其接法是 。
A.稳压二极管与负载电阻串联
B.稳压二极管与负载电阻并联
C.限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联
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7.在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反,则( )
A.输出电压约为2UD
B.变为半波直流
C.整流管将因电流过大而烧坏
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8.电流源电路的特点是输出电流恒定,交流等效电阻( )。
A.等于零
B.比直流等效电阻小
C.等于直流等效电阻
D.远远大于直流等效电阻
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9.在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为 ( )MOS管。
A.N沟道耗尽型
B.P沟道耗尽型
C.P沟道增强型
D.N沟道增强型
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10.
A.A
B.B
C.C
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11.对于硅晶体管来说其死区电压约为( )
A.0.1
B.0.5
C.0.7
正确答案:false
12.在放大电路的三种工作状态中,哪种功耗最小( )。
A.甲类
B.甲乙类
C.乙类
D.一样大
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13.直流稳压电源中滤波电路的目的是( )
A.将交流变为直流
B.将高频变为低频
C.将交、直流混合量中的交流成分滤掉
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14.差分放大电路是为了( )而设置的。
A.稳定u
B.放大信号
C.抑制零点漂移
D.提高输入电阻
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15.实际工作中选用三极管时,要求三极管的反向饱和电流和穿透电流尽可能( ),这两个反向电流的值越( ),表明三极管的质量越( )。
A.大 大 高
B.小 小 低
C.大 大 低
D.小 小 高
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16.多级放大电路比单级放大电路的通频带( )
A.宽
B.窄
C.一样
D.无法确定
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17.某电路有用信号频率为2 kHz, 可选用( )。
A.低通滤波器
B.高通滤波器
C.带通滤波器
D.带阻滤波器
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18.在本征半导体中分别加入( )元素可形成N型和P型半导体。
A.五价,四价
B.四价,五价
C.三价,五价
D.五价,三价
正确答案:false
19.变压器耦合隔离放大器是利用 来传递信号。
A.光电耦合
B.直接耦合
C.电磁耦合
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20.温度升高,晶体管输入特性曲线( )
A.右移
B.左移
C.不变
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21.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。
A.基本共射放大电路
B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路
D.同相比例运算电路
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22.放大电路的直流负载线是指( ) 条件下的交流负载线
A.RL=0
B.RL= ∞
C.RL=RC
D.RL=RB
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23.稳压管的稳压区是其工作在( )
A.正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
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24.
题1.9图示滤波器的截止频率为( )。